IPD50N04S309ATMA1

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Parte del fabricante

IPD50N04S309ATMA1

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
11005
Hojas de datos en línea
IPD50N04S309ATMA1 PDF
Consulta
  • serie:OptiMOS™
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 28µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:26 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.75 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):63W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO252-3
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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