FDPF8D5N10C

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Parte del fabricante

FDPF8D5N10C

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 76A TO220F
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
1000
Hojas de datos en línea
FDPF8D5N10C PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:76A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:8.5mOhm @ 76A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 130µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:34 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2475 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.4W (Ta), 35W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220F
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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