FDMS86202ET120

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Parte del fabricante

FDMS86202ET120

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
18473000
Hojas de datos en línea
FDMS86202ET120 PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):120 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13.5A (Ta), 102A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:7.2mOhm @ 13.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:64 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:4585 pF @ 60 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.3W (Ta), 187W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:Power56
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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