NVTFS6H880NTAG

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Parte del fabricante

NVTFS6H880NTAG

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
3465
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):80 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:6.3A (Ta), 21A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:32mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 20µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:6.9 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:370 pF @ 40 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-WDFN (3.3x3.3)
  • paquete / caja:8-PowerWDFN
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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