FQD4N25TM-WS

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Parte del fabricante

FQD4N25TM-WS

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
10000
Hojas de datos en línea
FQD4N25TM-WS PDF
Consulta
  • serie:QFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):250 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:1.75Ohm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:5.6 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:200 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta), 37W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D-Pak
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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