SCTH40N120G2V7AG

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Parte del fabricante

SCTH40N120G2V7AG

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:33A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):18V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 18V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:63 nC @ 18 V
  • vgs (máx.):+22V, -10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1230 pF @ 800 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):250W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:H2PAK-7
  • paquete / caja:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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