NSBA114YDP6T5G

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Parte del fabricante

NSBA114YDP6T5G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
NSBA114YDP6T5G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • resistencia - base (r1):10kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):47kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:-
  • potencia - máx.:408mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SOT-963
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-963
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