Name: FQB17N08LTM
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQB17N08LTM
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: FQB17N08LTM

Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descripción: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: FQB17N08LTM PDF

FQB17N08LTM darse cuenta

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serie:QFET®
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Obsolete
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:16.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:100mOhm @ 8.25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:11.5 nC @ 5 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:520 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):3.75W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D²PAK (TO-263AB)
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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