NVD6416ANLT4G-001

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Parte del fabricante

NVD6416ANLT4G-001

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:19A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:74mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:40 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1000 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):71W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DPAK-3
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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