STB23NM60N

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Parte del fabricante

STB23NM60N

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
STB23NM60N PDF
Consulta
  • serie:MDmesh™ II
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:19A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:180mOhm @ 9.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±25V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2050 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):150W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
  • paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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