PBRN123ES,126

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Parte del fabricante

PBRN123ES,126

Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
PBRN123ES,126 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Box (TB)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
  • corriente - colector (ic) (max):800 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):40 V
  • resistencia - base (r1):2.2 kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):2.2 kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:280 @ 300mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:1.15V @ 8mA, 800mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:-
  • potencia - máx.:700 mW
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-92-3
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