MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

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Parte del fabricante

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Fabricante
Micron Technology
Descripción
IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q100
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:DRAM
  • tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • tamaño de la memoria:16Gb (512M x 32)
  • interfaz de memoria:-
  • frecuencia de reloj:1.866 GHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
  • tiempo de acceso:-
  • suministro de voltaje:1.1V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:200-WFBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:200-WFBGA (10x14.5)
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