2SD1618T-TD-E

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Parte del fabricante

2SD1618T-TD-E

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
0.7A, NPN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - simple
Serie
-
En stock
154850
Hojas de datos en línea
2SD1618T-TD-E PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • corriente - colector (ic) (max):700 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):15 V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:80mV @ 10mA, 100mA
  • corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 50mA, 2V
  • potencia - máx.:500 mW
  • frecuencia - transición:250MHz
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-243AA
  • paquete de dispositivos del proveedor:PCP
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