MMBT2222A

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Parte del fabricante

MMBT2222A

Fabricante
NTE Electronics, Inc.
Descripción
T-NPN SI- GEN PUR AMP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - simple
Serie
-
En stock
5250
Hojas de datos en línea
MMBT2222A PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bag
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • corriente - colector (ic) (max):1 A
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):40 V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:1V @ 50mA, 500mA
  • corriente - corte del colector (máx.):10nA (ICBO)
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 150mA, 10V
  • potencia - máx.:350 mW
  • frecuencia - transición:300MHz
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-3
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