NJVMJD112T4G

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Parte del fabricante

NJVMJD112T4G

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - simple
Serie
-
En stock
41900
Hojas de datos en línea
NJVMJD112T4G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN - Darlington
  • corriente - colector (ic) (max):2 A
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):100 V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • corriente - corte del colector (máx.):20µA
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • potencia - máx.:20 W
  • frecuencia - transición:25MHz
  • Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • paquete de dispositivos del proveedor:DPAK
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