MJ10016

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Parte del fabricante

MJ10016

Fabricante
NTE Electronics, Inc.
Descripción
T-NPN SI- PO HIV DARL
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - simple
Serie
-
En stock
5000
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:SWITCHMODE™
  • paquete:Bag
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN - Darlington
  • corriente - colector (ic) (max):50 A
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):500 V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:5V @ 10A, 50A
  • corriente - corte del colector (máx.):250µA
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:25 @ 20A, 5V
  • potencia - máx.:250 W
  • frecuencia - transición:-
  • Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-204AA, TO-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-3
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