2N2102

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Parte del fabricante

2N2102

Fabricante
NTE Electronics, Inc.
Descripción
T-NPN SI- GEN PUR AMP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - simple
Serie
-
En stock
500
Hojas de datos en línea
2N2102 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bag
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • corriente - colector (ic) (max):1 A
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):65 V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:500mV @ 15mA, 150mA
  • corriente - corte del colector (máx.):2nA (ICBO)
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 150mA, 10V
  • potencia - máx.:1 W
  • frecuencia - transición:-
  • Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-39
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