MC1413DR2

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Parte del fabricante

MC1413DR2

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Serie
-
En stock
11521
Hojas de datos en línea
MC1413DR2 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de transistor:7 NPN Darlington
  • corriente - colector (ic) (max):500mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:1.6V @ 500µA, 350mA
  • corriente - corte del colector (máx.):-
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 350mA, 2V
  • potencia - máx.:-
  • frecuencia - transición:-
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:16-SOIC
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