HN1B01FU-Y(L,F,T)

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Parte del fabricante

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
HN1B01FU-Y(L,F,T) PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN, PNP
  • corriente - colector (ic) (max):150mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 10mA, 100mA
  • corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 2mA, 6V
  • potencia - máx.:200mW
  • frecuencia - transición:120MHz
  • Temperatura de funcionamiento:125°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquete de dispositivos del proveedor:US6
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