TPH2R104PL,LQ

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Parte del fabricante

TPH2R104PL,LQ

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
5858
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:U-MOSIX-H
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:2.1mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.4V @ 500µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:78 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6230 pF @ 20 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):830mW (Ta), 116W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:175°C
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOP Advance (5x5)
  • paquete / caja:8-PowerVDFN
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