IRFB4115GPBF

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Parte del fabricante

IRFB4115GPBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
650000
Hojas de datos en línea
IRFB4115GPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):150 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:104A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:11mOhm @ 62A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:120 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:5.27 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):380W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220AB
  • paquete / caja:TO-220-3
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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