TK9A65W,S5X

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Parte del fabricante

TK9A65W,S5X

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
TK9A65W,S5X PDF
Consulta
  • serie:DTMOSIV
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9.3A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:500mOhm @ 4.6A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3.5V @ 350µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:20 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:700 pF @ 300 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):30W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220SIS
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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