BSC090N03MSGATMA1

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Parte del fabricante

BSC090N03MSGATMA1

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
MOSFET N-CH 30V 12A/48A TDSON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
20000
Hojas de datos en línea
BSC090N03MSGATMA1 PDF
Consulta
  • serie:OptiMOS™
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:12A (Ta), 48A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:9mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:24 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.9 pF @ 15 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta), 32W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TDSON-8-5
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
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