Name: SIHH24N65EF-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHH24N65EF-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: SIHH24N65EF-T1-GE3

Fabricante: Vishay / Siliconix

Descripción: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: SIHH24N65EF-T1-GE3 PDF

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serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:23A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:17 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2780 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):202W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® 8 x 8
paquete / caja:8-PowerTDFN

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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