Name: BSZ100N06LS3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSZ100N06LS3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: BSZ100N06LS3GATMA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 1001217

Hojas de datos en línea: BSZ100N06LS3GATMA1 PDF

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serie:OptiMOS™
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:11A (Ta), 20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 23µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3500 pF @ 30 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):2.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TSDSON-8
paquete / caja:8-PowerVDFN

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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