IPA60R280P7XKSA1

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Parte del fabricante

IPA60R280P7XKSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
221
Hojas de datos en línea
IPA60R280P7XKSA1 PDF
Consulta
  • serie:CoolMOS™ P7
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:280mOhm @ 3.8A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 190µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:18 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:761 pF @ 400 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):24W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO220 Full Pack
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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