Name: TPN1R603PL,L1Q
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TPN1R603PL,L1Q
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: TPN1R603PL,L1Q

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 15760

Hojas de datos en línea: TPN1R603PL,L1Q PDF

TPN1R603PL,L1Q darse cuenta

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serie:U-MOSIX-H
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:1.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.1V @ 300µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:41 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3900 pF @ 15 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
paquete / caja:8-PowerVDFN

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