Name: SIRA18DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIRA18DP-T1-RE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: SIRA18DP-T1-RE3

Fabricante: Vishay / Siliconix

Descripción: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: -

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serie:TrenchFET®
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:33A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.4V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:21.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):+20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1000 pF @ 15 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):14.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® SO-8
paquete / caja:PowerPAK® SO-8

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