Name: HUF76629D3S
Brand: Rochester Electronics
SKU: HUF76629D3S
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: HUF76629D3S

Fabricante: Rochester Electronics

Descripción: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 46400

Hojas de datos en línea: HUF76629D3S PDF

HUF76629D3S darse cuenta

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serie:UltraFET™
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):-
rds en (máx.) @ id, vgs:52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (máx.):±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1285 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:TO-252AA
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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