FDD6637

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Parte del fabricante

FDD6637

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
15450
Hojas de datos en línea
FDD6637 PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):35 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13A (Ta), 55A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:11.6mOhm @ 14A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:63 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±25V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2370 pF @ 20 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.1W (Ta), 57W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D-PAK (TO-252)
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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