Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD80R2K8CEATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: IPD80R2K8CEATMA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: IPD80R2K8CEATMA1 PDF

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serie:CoolMOS™ CE
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:1.9A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:3.9V @ 120µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:290 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO252-3
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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