RF4E060AJTCR

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Parte del fabricante

RF4E060AJTCR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
2950
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:6A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:37mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:4 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±12V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:450 pF @ 15 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:HUML2020L8
  • paquete / caja:8-PowerUDFN
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