RQ5P010SNTL

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Parte del fabricante

RQ5P010SNTL

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
1829
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:1A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:520mOhm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3.5 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:140 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):700mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:TSMT3
  • paquete / caja:SC-96
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