IRL3705NSTRLPBF

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Parte del fabricante

IRL3705NSTRLPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
31681
Hojas de datos en línea
IRL3705NSTRLPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):55 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:89A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:10mOhm @ 46A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:98 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±16V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3600 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.8W (Ta), 170W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
  • paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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