Name: TPN22006NH,LQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TPN22006NH,LQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: TPN22006NH,LQ

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 993

Hojas de datos en línea: TPN22006NH,LQ PDF

TPN22006NH,LQ darse cuenta

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serie:U-MOSVIII-H
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:22mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 100µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:710 pF @ 30 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
paquete / caja:8-PowerVDFN

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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