APT18M100B

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Parte del fabricante

APT18M100B

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
133000
Hojas de datos en línea
APT18M100B PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1000 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:700mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:150 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:4845 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):625W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-247 [B]
  • paquete / caja:TO-247-3
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