SCT20N120

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Parte del fabricante

SCT20N120

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
451
Hojas de datos en línea
SCT20N120 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):20V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:290mOhm @ 10A, 20V
  • vgs(th) (máx) @ id:3.5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:45 nC @ 20 V
  • vgs (máx.):+25V, -10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:650 pF @ 400 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):175W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:HiP247™
  • paquete / caja:TO-247-3
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