Name: SIHP100N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHP100N60E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: SIHP100N60E-GE3

Fabricante: Vishay / Siliconix

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 995

Hojas de datos en línea: -

SIHP100N60E-GE3 darse cuenta

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serie:E
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:50 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1851 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220AB
paquete / caja:TO-220-3

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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