Name: RM11N800T2
Brand: Rectron USA
SKU: RM11N800T2
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: RM11N800T2

Fabricante: Rectron USA

Descripción: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: -

RM11N800T2 darse cuenta

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serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:11A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:420mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2600 pF @ 50 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220-3
paquete / caja:TO-220-3

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