PMPB8XNX

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Parte del fabricante

PMPB8XNX

Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:10.1A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:12mOhm @ 10.1A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:900mV @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:30 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1696 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DFN2020MD-6
  • paquete / caja:6-UDFN Exposed Pad
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