RM20N650TI

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Parte del fabricante

RM20N650TI

Fabricante
Rectron USA
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 650V 20A TO220F
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:210mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2600 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):33W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220F
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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