Name: IPB024N08N5ATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: IPB024N08N5ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: IPB024N08N5ATMA1

Fabricante: Rochester Electronics

Descripción: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 42765

Hojas de datos en línea: IPB024N08N5ATMA1 PDF

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serie:OptiMOS™
paquete:Bulk
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:3.8V @ 154µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:123 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:8.97 pF @ 40 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D²PAK (TO-263AB)
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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