SSM3J15CT(TPL3)

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Parte del fabricante

SSM3J15CT(TPL3)

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
2887
Hojas de datos en línea
SSM3J15CT(TPL3) PDF
Consulta
  • serie:π-MOSVI
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:100mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 4V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:12Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (máx) @ id:-
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:9.1 pF @ 3 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):100mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:CST3
  • paquete / caja:SC-101, SOT-883
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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