Name: TPH3208PD
Brand: Transphorm
SKU: TPH3208PD
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: TPH3208PD

Fabricante: Transphorm

Descripción: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 76

Hojas de datos en línea: TPH3208PD PDF

TPH3208PD darse cuenta

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serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo de feto:N-Channel
tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:2.6V @ 300µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:14 nC @ 8 V
vgs (máx.):±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:760 pF @ 400 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220AB
paquete / caja:TO-220-3

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