RSD130P10TL

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Parte del fabricante

RSD130P10TL

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
2123
Hojas de datos en línea
RSD130P10TL PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (máx) @ id:-
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:-
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):20W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:CPT3
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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