Name: RS1E200BNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RS1E200BNTB
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: RS1E200BNTB

Fabricante: ROHM Semiconductor

Descripción: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 1094560

Hojas de datos en línea: RS1E200BNTB PDF

RS1E200BNTB darse cuenta

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serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1mA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:59 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3100 pF @ 15 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:8-HSOP
paquete / caja:8-PowerTDFN

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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