IPB80N04S2L03ATMA1

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Parte del fabricante

IPB80N04S2L03ATMA1

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
22000
Hojas de datos en línea
IPB80N04S2L03ATMA1 PDF
Consulta
  • serie:OptiMOS™
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:3.1mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:213 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):300W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO263-3-2
  • paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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