Name: BUK662R7-55C,118
Brand: Rochester Electronics
SKU: BUK662R7-55C,118
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: BUK662R7-55C,118

Fabricante: Rochester Electronics

Descripción: PFET, 120A I(D), 55V, 0.0044OHM,

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 10309

Hojas de datos en línea: BUK662R7-55C,118 PDF

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serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paquete:Bulk
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.8V @ 1mA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:258 nC @ 10 V
vgs (máx.):±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:15.3 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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