Name: FQPF9N90CT
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQPF9N90CT
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: FQPF9N90CT

Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descripción: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 130000

Hojas de datos en línea: FQPF9N90CT PDF

FQPF9N90CT darse cuenta

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serie:QFET®
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):900 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:1.4Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:58 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2730 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220F
paquete / caja:TO-220-3 Full Pack

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
TK110E10PL,S1X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	En stock: 2.713 En orden: 2.713	$1.28000
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