IRF6617TRPBF

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Parte del fabricante

IRF6617TRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
2208400
Hojas de datos en línea
IRF6617TRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:14A (Ta), 55A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:8.1mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.35V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:17 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1300 pF @ 15 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DIRECTFET™ ST
  • paquete / caja:DirectFET™ Isometric ST
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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